2772
2
Ученые научились выращивать транзисторы и электронные схемы атомарной толщины из графена и молибденита
Транзисторы и электронные схемы атомарной толщины из графена и дисульфида молибдена (молибденита, MoS2) теперь могут быть собраны химическим путем, что подразумевает возможность их крупномасштабного производства. Для сравнения, все предыдущие подобные технологии изготовления электронных компонентов вовлекали необходимость точного размещения предварительно отформованных компонентов из двухмерных материалов на поверхности чипа. Это, с учетом микроскопического масштаба действий, представляет собой весьма сложную и дорогостоящую технологическую операцию, которая выступает в качестве "тормоза" развития данного направления электроники.
"Основным "двигателем", обеспечившим развитие области нанотехнологий, стали поиски материалов, которые способны заменить кремний и обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура" - рассказывает Сян Занг (Xiang Zhang), ученый-материаловед из Калифорнийского университета в Беркли.
Производство электроники из материалов одноатомной толщины оказалось на практике делом весьма высокой сложности. И, как упоминалось выше, это связано с необходимостью проведения точнейшей сборки устройств из одноатомных материалов, отформованных с не меньшей точностью. А теперь ученым удалось разработать технологию, в которой транзисторы и проводники буквальной "ткутся" на месте из графена и полупроводникового молибденита при помощи специальных химических процессов.
Первым этапом нового процесса является осаждение графена на поверхности кварцевого основании. Затем, при помощи технологии плазменного травления в графене и основании формируются каналы будущих транзисторов. Завершает все это процесс осаждения из парообразной фазы, при помощи которого вокруг краев каждого канала формируется пленка из молибденита, которая наращивается до тех пор, пока не затягивает весь канал целиком. Полосы молибденита и графена при таком процессе накладываются друг на друга, и толщина полосы наложения составляет 100-200 нанометров, чего достаточно для обеспечения надежного электрического контакта.
"Основным "двигателем", обеспечившим развитие области нанотехнологий, стали поиски материалов, которые способны заменить кремний и обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура" - рассказывает Сян Занг (Xiang Zhang), ученый-материаловед из Калифорнийского университета в Беркли.
Производство электроники из материалов одноатомной толщины оказалось на практике делом весьма высокой сложности. И, как упоминалось выше, это связано с необходимостью проведения точнейшей сборки устройств из одноатомных материалов, отформованных с не меньшей точностью. А теперь ученым удалось разработать технологию, в которой транзисторы и проводники буквальной "ткутся" на месте из графена и полупроводникового молибденита при помощи специальных химических процессов.
Первым этапом нового процесса является осаждение графена на поверхности кварцевого основании. Затем, при помощи технологии плазменного травления в графене и основании формируются каналы будущих транзисторов. Завершает все это процесс осаждения из парообразной фазы, при помощи которого вокруг краев каждого канала формируется пленка из молибденита, которая наращивается до тех пор, пока не затягивает весь канал целиком. Полосы молибденита и графена при таком процессе накладываются друг на друга, и толщина полосы наложения составляет 100-200 нанометров, чего достаточно для обеспечения надежного электрического контакта.
Созданные таким образом транзисторы обладают очень высокой подвижностью электронов в их структуре, показатель подвижности электронов во много раз превышает аналогичный показатель у транзисторов, собранных механическим путем. Помимо транзисторов, ученым удалось создать новым способом простейший логический элемент, инвертор (NOT). Такой "цельнособранный" логический элемент продемонстрировал на 70 процентов большую эффективность при работе, нежели чем такой же элемент, созданный из отдельных транзисторов.
Источник:
Ссылки по теме:
- Интересные факты о фильме «Ирония судьбы, или С легким паром!»
- 7 грустных фактов о полёте в космос Лайки, первой собаки-космонавта
- Все правда о водяных ужах
- Интересные факты о «Служебном романе»
- Интересные факты о Сомали
Новости партнёров
реклама
Нельзя так. Без подготовки.
Новое поколение от Nvidia - GTX 1080 и другие созданы по технологии 16 Нанометров.
А новое поколение от AMD - Radeon 480 вообще на 14 Нанометровой технологии.
Это такая же магия, как шунгит. Но графен :)
Я вас умоляю! Ну шо за бред? Никаких отдельных предварительно отформованных элементов в микросхемах нет (кроме древних гибридок). Автор этой лажи почитал бы основы технологии полупроводников. Ну хотя бы погуглил слово "эпитаксия". Чесслово, задрочили эти псевдонаучные высеры.
Тебе кто вот мешает на наглоязычных ресурсах любопытство удовлетворять? Никто. все на русскоязычных пасемся, а на русскоязычных мягко говоря с новостями науки не очень чтобы уж совсем очень.
Вообще, конечно, хорошо, что хоть не очень достоверные, но чуть зацепившие науку посты пробиваются среди утиных губ и чудес похудания. Но все же стоит поосторожнее выбирать источники.
P.S. я учился на кафедре полупроводниковой электроники, поэтому так "смутился".
"империческая зависимость":
имперская зависимость (3 ошибки)
истерическая зависимость (2 ошибки)
историческая зависимость (3 ошибки)
венерическая зависимость (3 ошибки)
эмпирическая зависимость (2 ошибки)